Jamiyanaa Dashdorj博士.D.
家乡:UlanBator
2016年8月加入查塔姆国际事务研究所
兴趣的学术领域
半导体材料的发展和表征, 电荷转移过程, 原子输运性质.
个人兴趣领域
足球、国际象棋和旅行.
BIOGRAPHY
Jami Dashdorj在来美国前曾在蒙古、奥地利、意大利和巴西学习和训练.S. 研究生院. He earned his Ph.D. 科罗拉多矿业学院的应用物理学博士在国家可再生能源实验室建立了一个非破坏性的少数载流子重组寿命映射系统. 在加入查塔姆国际事务研究所之前. Dashdorj是阿拉巴马大学(伯明翰)的一名研究助理，研究氮化镓中的点缺陷和电荷转移机制, SrTiO3, ZnSe和SiC的电子顺磁共振波谱分析.
EDUCATION
- 科罗拉多矿业学院应用物理学博士
- 凝聚态物理硕士，国际理论物理中心(意大利的里雅斯特)
- 蒙古大学(乌兰巴托)物理学学士
AWARDS
- 意大利政府奖学金(意大利的里雅斯特)
- 国际原子能机构研究金(奥地利维也纳)
- 巴拉那联邦大学(巴西库里蒂巴)TWAS/CNPQ访问学者奖学金
ORGANIZATIONS
- 美国物理学会(APS)
- 材料研究学会
选定的出版物
- A. Viehland, E. Ducasse, M. Cordier, A. Trout, and J. Dashdorj, “离子群的三阶输运系数”, J. Chem. Phys. 155, 204301 (2021)
- A. Viehland, H.R. Skullerud, M. Cordier, J. Dashdorj, and A. Trout,”稀有气体中NO+离子在均匀静电场中的运动”, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 54, 175202 (2021).
- Dashdorj, W.C. Pfalzgraff, A.D. Trout, D. Fingerlow, M. Cordier, and L.A. Viehland, “氩的迁移率和扩散系数的测定+ and Ar2+ 氩气中的离子”, Int. J. Ion Mobil. Spec., 23, 143 (2020)
- A. Viehland, A. Lutfullaeva, J. Dashdorj, and R. Johnsen, “精确的气体离子迁移率测量”, Int. J. Ion Mobil. Spec., 20, 95 (2017)
- R. Willoughby, M.E. Zvanut, J. Dashdorj, and M. Bockowski, “补偿GaN:Be衬底中Be相关光吸收的模型”, J. Appl. Phys. 120, 115701 (2016).
- E. Zvanut, J. Dashdorj, J.A. Freitas Jr., E.R. Glaser, W.R. Willoughby, J.H. Leach, and K. Udwary, “Mg在独立HVPE GaN衬底中的掺入”, J. Electron. Mater., 45, 2692 (2016)
- Dashdorj, W.R. Willoughby, M.E. Zvanut, and M. Bockowski, “高氮压力溶液法生长体掺镁GaN的电子顺磁共振研究”, Phys. 固定性C; 4-5, 338 (2015)
- M. Poole, J. Dashdorj, M.E. Zvanut, and M.D. McCluskey, “室温下钛酸锶的大持久光电导率”, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1792 (2015).
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and M. Bockowski, “用高氮压力溶液法生长的体氮化镓中受体水平的测定”, Phys. 稳固状态B; 1-5, 1 (2015)
- V. Fedorov, T. Konak, J. Dashdorj, M.E. Zvanut, and S.B. Mirov, “Zn:Cr:ZnSe和Zn:Fe:ZnSe晶体的光学和电子磁共振光谱”, Opt. Mater. 37, 262, (2014).
- Dashdorj, M.E. Zvanut, J.G. Harrison, K. Udwary, and T. Paskova, “半绝缘掺铁GaN中的电荷转移”, J. Appl. Phys. 112, 013712 (2012).
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and L.J. Stanley, “SrTiO中铁相关缺陷水平3 采用光电子顺磁共振波谱法测量”, J. Appl. Phys. 107, 083513 (2010).
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and J.G. Harrison, “时变光电子顺磁共振测量4H-SiC中碳空位的光学截面”, J. Appl. Phys. 104, 113707 (2008).
- Metzger, R.K. Ahrenkiel, J. Dashdorj, and D.J. Friedman, “半导体结中电荷分离动力学分析”, Phys. Rev. B 71, 035301 (2005).
- Ahrenkiel and J. Dashdorj, “用非接触微波技术测量界面复合速度”, J. Vac. Sci. Technol. B 22(4), 2063 (2004).
选定的演讲
- Dashdorj, L.A. Viehland, A. Lutfullaeva和R. Johnsen, “精确的气体离子迁移率测量”, 70th 2017年度气体电子会议，宾夕法尼亚州匹兹堡.
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and M.M. Bockowski, “EPR检测了高压氮溶液法生长的GaN衬底的缺陷中心，美国科学学会三月会议，圣安东尼，德州，2015.
- Dashdorj, M.E. Zvanut, J.G. Harrison, T. Paskova, and K. Udwary, “氮化镓中Fe受体对电子的热俘获率， 2011年3月APS会议，达拉斯，德克萨斯州.
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and J.G. Harrison, “4H-SiC中碳空位缺陷的电荷转移动力学， APS三月会议，匹兹堡，宾夕法尼亚州，2009年.
- Dashdorj, M.E. Zvanut, and J. Harrison, “碳化硅中碳空位的缺陷松弛模型，美国科学学会三月会议，新奥尔良，洛杉矶，2008.
- Dashdorj and M.E. Zvanut, “SrTiO中铬杂质的研究3 光电子顺磁共振谱法， MRS Fall Meeting，波士顿，马萨诸塞州，2007.
- Dashdorj, R.K. 阿连基尔和W.K. Metzger, “电荷分离器件结构中复合寿命的建模， MRS Fall Meeting，波士顿，马萨诸塞州，2003.